专利详情

专利名称	单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法
申请号	CN200510011988.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1884039	公开（授权）日	2006.12.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李超波;陈大鹏;叶甜春;王玮冰
主分类号	B81C1/00(2006.01)	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)
专利有效期	单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法至单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法，包括：1.在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜；2. 用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀氮化硅；3.在正面甩正性光刻胶；4.在背面甩正性光刻胶，光学光刻背面窗口图形；5. 各向异性刻蚀有光刻图形面；6.去除光刻胶；7.在正面甩正性光刻胶，光学光刻正面氮化硅梁图形；8.在有光刻图形的一面蒸发、剥离铬薄膜；9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅； 10.各向同性腐蚀去除铬薄膜；11.在有氮化硅梁图形的正面甩正性光刻胶，光学光刻正面隔离金图形；12.蒸发、剥离金；13. 用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀基片，完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构焦平面阵列的制作。