专利详情

专利名称	光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法
申请号	CN200510076327.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1881626	公开（授权）日	2006.12.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	许兴胜;陈弘达
主分类号	H01L33/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)
专利有效期	光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法至光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波长激光器作为光源，将短波长激光器激光用扩束透镜扩束，扩束后的光再经会聚透镜聚焦，然后照射在光子微结构模板上，光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离 Z_T，该模板采用电子束曝光技术制作的模板，其上图形为光子微结构；激光通过光子微结构模板后，将带有光子微结构模板映像在与其距离为 Z_T处的GaN样品上，将光子微结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，通过干法刻蚀，将光子微结构可以刻蚀到GaN材料上。