专利详情

专利名称	制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
申请号	CN200510076325.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1881533	公开（授权）日	2006.12.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘喆;王军喜;钟兴儒;李晋闽;曾一平;段瑞飞;马平;魏同波;林郭强
主分类号	H01L21/205(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L31/18(2006.01);C23C16/34(2006.01)
专利有效期	制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置至制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。