专利详情

专利名称	可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构
申请号	CN201010231661.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101916779A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I
专利有效期	可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构至可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡层；埋氧层位于导电层的上表面；有源区包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区、位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；沟槽隔离结构位于有源区周围；电极包括源极、栅极、漏极、从导电层引出的导电极。本发明可以将积聚在埋氧层下界面处的电荷释放，完全消除衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。