专利详情

专利名称	具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法
申请号	CN201010225623.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101916776A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;罗杰馨;伍青青;肖德元;王曦
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法至具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区包括：两个重掺杂N型区、位于两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上的硅化物、以及与该硅化物相连的浅N型区；该重掺杂P型区与其上的硅化物形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区积累的空穴，从而有效抑制SOIMOS器件的浮体效应，不增加芯片面积，并消除了传统BTS结构降低有效沟道宽度的缺点。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区表面形成金属，通过热处理使金属与其下的Si反应生成硅化物。该制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容。