专利详情

专利名称	一种绝缘体上应变硅制备方法
申请号	CN201010223281.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101916741A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘体上应变硅制备方法至一种绝缘体上应变硅制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm，然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex，Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合适的能量，使离子注入到埋氧和衬底硅的界面；进行退火工艺，使应变的Si1-xGex层进行弛豫，同时，顶层硅受到拉伸的应力，离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松，顶层硅成为应变硅；将剩余的Si1-xGex层移除，得到所需的应变硅材料。由此可见，本发明的最大优点是通过离子注入和外延工艺，而不需要键合工艺，直接将外延SiGe材料的应力反转，直接将应力转移到绝缘体上硅的顶层硅中，从而可望大大简化绝缘体上应变硅的制备工艺。