专利详情

专利名称	具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法
申请号	CN201010234273.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101916729A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法至具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI?LDMOS器件的制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，且使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构，且上下两层超结结构的p/n型柱区交错排布，能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积，且不会带来显著的副作用，保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高。