
互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法
- 申请号:CN200610016995.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN1877453
- 公开(公开)日:2006.12.13
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法 | ||
申请号 | CN200610016995.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1877453 | 公开(授权)日 | 2006.12.13 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 韩艳春;邢汝博;于新红 |
主分类号 | G03F7/20(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01);H05B33/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
专利有效期 | 互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法 至互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明属于互补结构微图案化加工方法。首先利 用毛细微模塑在基底表面制作具有正梯形横截面的微结构。以 该结构作为支撑,在其表面涂敷另外一层薄膜。然后选用能溶 解毛细微模塑制作的微结构,但是不溶解其表面薄膜的溶剂将 微结构溶解,并带动其表面的薄膜一起剥落,从而在基底表面 留下具有倒梯形横截面的微结构。该结构可以用于有机平板显 示中有机半导体层及电极层的分离。与已有技术相比,本发明 具有设备和工艺简单,原理上可以制作多种材料的倒梯形结构 的特点。 |
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