超超低碳、高强度、耐氢脆合金及非金属夹杂物控制方法
- 申请号:CN201210479943.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号:CN102994908A
- 公开(公开)日:2013.03.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 超超低碳、高强度、耐氢脆合金及非金属夹杂物控制方法 | ||
申请号 | CN201210479943.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102994908A | 公开(授权)日 | 2013.03.27 |
申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 赵明久;戎利建;闫德胜;姜海昌;胡晓峰;宋元元;王本贤 |
主分类号 | C22C38/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C38/54(2006.01)I |
专利有效期 | 超超低碳、高强度、耐氢脆合金及非金属夹杂物控制方法 至超超低碳、高强度、耐氢脆合金及非金属夹杂物控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及沉淀强化奥氏体抗氢脆合金领域,具体地说是一种超超低碳、高强度、耐氢脆Fe-Ni基奥氏体合金及其Ti2CS型非金属夹杂物的控制方法。按重量百分计,Ni:29.0~32.0,Cr:14.0~16.0,Mo:1.30~1.50,钛:1.60~2.30,铝:0.2~0.5,硅:0.1~0.3,硼:0.001~0.006,铁:余量。按重量百分计,控制碳含量≤0.010,硫含量≤0.002,磷含量≤0.006。本发明采用CaO坩埚并以低磷工业高纯铁为原料,在1530~1570℃进行一次和二次精炼,达到脱碳和脱硫目的,实现沉淀强化奥氏体合金中超超低碳控制(C≤0.010%)、抑制Ti2CS相生成,保证合金纯净度,提高合金力学性能。 |
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