专利详情

专利名称	适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
申请号	CN200510071093.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1870224	公开（授权）日	2006.11.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李海鸥;尹军舰;张海英;和致经;叶甜春
主分类号	H01L21/28(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L29/45(2006.01)
专利有效期	适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统至适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金得到低的欧姆接触电阻，可达1.87E－07 Ω.cm²，合金后图形表面形貌光滑平整、图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。