专利详情

专利名称	桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
申请号	CN200510011812.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1870304	公开（授权）日	2006.11.29
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮
主分类号	H01L33/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)
专利有效期	桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法至桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备，其结构包括：淀积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极； N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极；淀积在点状N电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在条状绝缘介质层上，并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。可以增加P型区面积，减小结电流密度，提高内、外量子效率，并且芯片有更高的饱和电流，大幅提高了倒装焊LED芯片的发光效率。