专利详情

专利名称	提高隔离氧化物CMP均匀性的方法
申请号	CN201110257855.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102969238A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王桂磊;杨涛;李俊峰;赵超
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	提高隔离氧化物CMP均匀性的方法至提高隔离氧化物CMP均匀性的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成垫层，在垫层上以及衬底中形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成第一盖层，第一盖层的顶部高度差等于或大于隔离氧化物层的顶部高度差；在第一盖层上形成第二盖层，第二盖层的顶部高度差小于第一盖层的顶部高度差和/或隔离氧化物层的顶部高度差；依次对第二盖层、第一盖层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露垫层。依照本发明的方法，集成在HDP淀积的工艺腔里，不用额外的工艺步骤，可以在保证填充的效果的同时可以有效的降低高度差，减少或者避免凹陷(dishing)缺陷在CMP工艺中的产生，从而提高CMP工艺的平坦化均匀性，增大CMP工艺的窗口。