专利详情

专利名称	提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备
申请号	CN201110257878.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102969239A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王桂磊;杨涛
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I
专利有效期	提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备至提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成牺牲层，牺牲层的顶部高度差小于隔离氧化物层的顶部高度差；采用相同的CMP工艺，依次对牺牲层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露衬底。依照本发明的提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备，在提高生产效率过程中提高了全局平坦化，增大了CMP工艺的窗口，避免对前层膜厚表面形貌的选择，提高生产效率的同时减少凹陷缺陷的发生。