专利详情

专利名称	高出光率倒装结构LED的制作方法
申请号	CN201210548494.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102969422A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘娜;谢海忠;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/14(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	高出光率倒装结构LED的制作方法至高出光率倒装结构LED的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。