专利详情

专利名称	减小相变存储器加热电极面积的方法
申请号	CN200610028107.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1870314	公开（授权）日	2006.11.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;宋志棠;刘波;冯高明;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)
专利有效期	减小相变存储器加热电极面积的方法至减小相变存储器加热电极面积的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2 衬底上制备出较大直径的200－500nm的孔洞，接着利用CVD 或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料，然后进行化学机械抛光，形成柱状加热电极。之后，在柱状加热电极上生长量子点(如Si等)，然后将量子点氧化形成绝缘的物质(如 SiO2等)，这样就减小了柱状加热电极的有效面积，从而提高电流密度。本发明既避免了直接制备100nm以下加热电极的困难，降低了制造成本，更重要的是降低相变存储器的功耗。不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。