一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法
- 申请号：CN200510070889.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号：CN1865320
- 公开(公开)日：2006.11.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN200510070889.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1865320 | 公开（授权）日 | 2006.11.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 颜梅;张志杰;谭永霞;谢择民 |
| 主分类号 | C08G77/62(2006.01) | IPC主分类号 | C08G77/62(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 至一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制 备方法。本发明所提供的含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式 I所示，其中，R、R′为H，芳香基，碳原子数为1－6的烷 基或烯烃基，n为1－20的整数，m为1－100的整数。本发明 含丁二炔基聚硅氮烷具有良好的热稳定性，可发出一定强度的 荧光，具有良好的导电性，其制备方法产率高，可达80－98 ％，可用作陶瓷前驱体，发光材料，导电材料等，具有广泛的 应用前景。 | ||
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