专利详情

专利名称	高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法
申请号	CN200510011738.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1866472	公开（授权）日	2006.11.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张海英
主分类号	H01L21/28(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/8234(2006.01)
专利有效期	高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法至高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及超高速微电子器件技术领域，高电子迁移率晶体管(HEMT)电路T型栅制作方法。方法步骤：取原始基片，进行清洗，做标记，制作隔离岛、源漏金属蒸发、剥离、合金工艺；对基片进行清洗；涂PMMA胶；涂胶后立即烘烤；取出基片；涂胶后立即烘烤；将涂胶后的基片送电子束曝光；对曝光后的基片上层PMMA胶显影、定影；吹干；该方法兼有现有技术两种T型栅制作方法的优点，同时回避了各自的缺点，使小栅长制作工艺更简单易行，工艺上更容易实现，有利于提高成品率，降低生产成本。