专利详情

专利名称	基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置
申请号	CN201220510022.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202838976U	公开（授权）日	2013.03.27
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	苏弘;丁朋程;孔洁;王晓辉;赵红赟;佘乾顺;千奕;马晓莉;牛晓阳
主分类号	G11C29/42(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/42(2006.01)I
专利有效期	基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置至基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及对存储器抗辐射容错技术领域，主要涉及利用FPGA实现EDAC模块的三模冗余技术对存储器单粒子翻转的容错装置与方法。一种基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置，其特征是包括有主控制器连接编码EDAC模块的并联的第一编码器、第二编码器、第三编码器，编码EDAC模块通过第一多数选举器连接存储控制器，由存储控制器连接存储器；由存储器通过存储控制器连接解码EDAC模块的三个并联的第一解码器、第二解码器、第三解码器，解码EDAC模块通过第二多数选举器连接主控制器。整个EDAC模块和多数选举器在FPGA中实现，能够有效地提高系统中存储器的抗单粒子翻转（SEU）水平。