一种半导体器件
- 申请号:CN201190000054.8
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN202839584U
- 公开(公开)日:2013.03.27
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种半导体器件 | ||
申请号 | CN201190000054.8 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202839584U | 公开(授权)日 | 2013.03.27 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:半导体衬底(300);SiGe弛豫层(200),位于所述半导体衬底(300)上;NMOS晶体管,位于该SiGe弛豫层(200)上;以及PMOS晶体管,位于SiGe弛豫层(200)上。其中该NMOS晶体管包括:拉应变外延层(260n),位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中;以及PMOS晶体管包括:压应变外延层(260p),位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中。在该器件中沟道的应力可以被较好地保持。还提供了一种用于形成应变半导体沟道的方法。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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4、专员跟进,交易保障
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