专利详情

专利名称	用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
申请号	CN200610027258.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1866496	公开（授权）日	2006.11.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明
主分类号	H01L21/82(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01);H01L45/00(2006.01)
专利有效期	用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法至用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜； (3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6) 对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9) 对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。