专利详情

专利名称	基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
申请号	CN201010165599.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101859858A	公开（授权）日	2010.10.13
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	刘立伟;邢振远;牛亮;宋仁升;荣吉赞;赵勇杰;耿秀梅;李伟伟;程国胜
主分类号	H01L33/42(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/42(2010.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用至基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。