专利详情

专利名称	用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法
申请号	CN200610027008.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1858922	公开（授权）日	2006.11.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘奇斌;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01);H01L21/00(2006.01)
专利有效期	用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法至用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100) 硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出 SiO₂，在 SiO₂上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO₂。(4)用刻蚀液对(100) 硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。 (7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。