专利详情

专利名称	与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
申请号	CN200610026291.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1851950	公开（授权）日	2006.10.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李铁;刘义冬;王翊;熊斌;王跃林
主分类号	H01L35/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L35/00(2006.01);H01L37/00(2006.01);H01L31/09(2006.01);H01L31/18(2006.01);G01J5/12(2006.01);B81B7/00(2006.01);B81C1/00(2006.01)
专利有效期	与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法至与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体 (Complementary Metal－Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100) 单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的开口通过正面腐蚀实现大吸收面积微机械热电堆结构，所制作的红外探测器特征在于框架与中间悬浮的红外吸收区构成热电堆的冷结区和热结区；支撑臂连接框架和红外吸收区以及承载热电堆；长条形开口覆盖整个红外吸收区。本发明提供的结构和工艺具有腐蚀时间短、器件占空比大，器件成品率高等特点，特别适合大阵列红外探测器的制作。