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金属基极有机晶体管及其制备方法

  • 申请号:CN200610016875.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
  • 公开(公开)号:CN1851954
  • 公开(公开)日:2006.10.25
  • 法律状态:专利申请权、专利权的转移
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 金属基极有机晶体管及其制备方法
申请号 CN200610016875.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1851954 公开(授权)日 2006.10.25
申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 马东阁;仪明东;于顺洋;游汉;冯陈刚
主分类号 H01L51/05(2006.01) IPC主分类号 H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01)
专利有效期 金属基极有机晶体管及其制备方法 至金属基极有机晶体管及其制备方法 法律状态 专利申请权、专利权的转移
说明书摘要 本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质 的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属 基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高 掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/ 有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备 的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于 1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本 低。

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