专利详情

专利名称	全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法
申请号	CN200510056280.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1847984	公开（授权）日	2006.10.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;陈宝钦;谢常青
主分类号	G03F7/20(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01)
专利有效期	全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法至全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	一种采用全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法，具有优化处理的掩模图形数据；合适的掩模图形曝光工艺；合适的显影条件；严格控制铬模腐蚀条件；曝光后的掩模处理工艺；选择干法刻蚀的移相器制作工艺，合适的移相层厚度的确定等特点，且采用g线436nm波长的光源制备出分辨率高的100nm图形。本发明方法，大大提高了g线436nm 波长光源的曝光分辨率，使得我们在没有昂贵的193nm波长光源的光学光刻设备(在1100万美元)的情况下，也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明是一种经济实用的制造100nm图形的新方法，可以满足纳米电子器件研究迫切需要廉价的纳米加工手段的需求。