专利详情

专利名称	电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法
申请号	CN200510056279.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1847983	公开（授权）日	2006.10.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;徐秋霞;陈宝钦;龙世兵;牛洁斌
主分类号	G03F7/20(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01)
专利有效期	电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法至电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等。该方法实现了电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们在缺乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳米尺寸的图形，而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大尺寸的图形。本发明方法结合了电子束系统曝光的高分辨率和光学投影光刻机的高效率，大大提高了纳米器件和电路的研制效率。