
一种提高阴极热子组件加热效率的结构及制备方法
- 申请号:CN200910242003.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号:CN102087946A
- 公开(公开)日:2011.06.08
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种提高阴极热子组件加热效率的结构及制备方法 | ||
申请号 | CN200910242003.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102087946A | 公开(授权)日 | 2011.06.08 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明(设计)人 | 俞世吉;孟鸣凤;苏小保;刘韦;赵世柯;樊会明;邢艳荣 |
主分类号 | H01J23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
专利有效期 | 一种提高阴极热子组件加热效率的结构及制备方法 至一种提高阴极热子组件加热效率的结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种提高阴极热子组件加热效率的结构及制备方法,涉及真空电子技术,应用于X、ku、ka波段空间行波管的研制和生产。该热屏筒材料为厚度为0.05mm的难熔金属或合金皮料,热屏筒的结构为表面横向开隔热槽的圆筒。该制备方法是采用电火花切割的加工方法在热屏筒表面加工出规则形状的隔热槽,并通过点焊方法使热屏筒与阴极钼筒、阴极底座实现局部点连接。本发明结构的阴极热子组件可靠性高、结构牢固,通过延长热传导路径、减少接触面积的方法,减少传导热量,显著降低热子功耗,从而提高阴极热子组件的加热效率。且具有制备方法工艺简单、成本低,可控性强等特点。 |
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