专利详情

专利名称	一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
申请号	CN200610024615.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1838384	公开（授权）日	2006.09.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王笑龙;于广辉;隋妍萍;雷本亮;齐鸣;李爱珍
主分类号	H01L21/30(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/30(2006.01);H01L21/322(2006.01)
专利有效期	一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法至一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN 基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度(生长室背景压力约为10^－ 9torr，通入氮等离子体时压力为 8*10^－5torr。)。该方法不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。