专利详情

专利名称	适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法
申请号	CN200510135207.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1832035	公开（授权）日	2006.09.13
申请（专利权）人	中国科学院计算技术研究所	发明（设计）人	郭勐;王贞松
主分类号	G11C11/409(2006.01)	IPC主分类号	G11C11/409(2006.01);G11C7/00(2006.01);G06F12/00(2006.01)
专利有效期	适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法至适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种适合矩阵转置的DDR存储控制器，适用于DDR SDRAM存储器，包括：数据通道、地址生成单元、工作模式配置单元、中心控制单元、时钟单元、读数据总线、写数据总线、地址总线、配置总线和控制总线，还包括存储颗粒A接口单元、存储颗粒B接口单元。本发明还提供了一种矩阵行列访问方法，可以完全隐藏DDR颗粒的操作开销，实现不间断的数据传输；并在完成矩阵行访问和矩阵列访问时，都能够充分利用DDR颗粒2倍数据率的特性。