专利详情

专利名称	以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
申请号	CN200610023732.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1828837	公开（授权）日	2006.09.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	雷本亮;于广辉;王笑龙;齐鸣;孟胜;李爱珍
主分类号	H01L21/205(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)
专利有效期	以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法至以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓 (GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N₂气氛下升温750－850 ℃，通NH₃保护模板的GaN层，于1000－1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩膜的工艺。