专利详情

专利名称	用于相变存储器的加热电极材料及制备方法
申请号	CN200610023390.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1825649	公开（授权）日	2006.08.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林;陈邦明
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)
专利有效期	用于相变存储器的加热电极材料及制备方法至用于相变存储器的加热电极材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为Ge_xW_yN_1－x－y、Ge_xTi_yN_1－x－y、Ge_xW_yO_1－x－y、Ge_xTi_yO_1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。