专利详情

专利名称	一种电弧离子镀设备
申请号	CN201110105549.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102758186A	公开（授权）日	2012.10.31
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杜昊;赵彦辉;肖金泉;宋贵宏;熊天英
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I
专利有效期	一种电弧离子镀设备至一种电弧离子镀设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及薄膜和涂层制备领域，为一种用以在长管内表面和深孔器件孔内壁沉积薄膜或涂层的电弧离子镀设备，该电弧离子镀设备设有三套磁场发生装置，对阴极靶发射的金属离子流进行聚束的第一磁场发生装置，在真空室外与阴极靶后面对应的位置；对金属离子流进行聚束的第二磁场发生装置，设置在真空室内阴极靶与工件之间，将已聚束金属离子流发散并向长管内表面或深孔内壁高速运动的第三磁场发生装置，设置于真空室内工件的外周，脉冲偏压电源，于对向长管内表面或深孔内壁运动的金属离子进一步加速，本发明解决了在长管内表面和深孔器件孔内壁沉积薄膜或涂层的技术难题；保证了薄膜或涂层的均匀性和质量，减少了所沉积薄膜或涂层中大颗粒的含量。