专利详情

专利名称	用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法
申请号	CN200510008009.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1818789	公开（授权）日	2006.08.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;叶甜春;谢常青;张建宏
主分类号	G03F7/20(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01)
专利有效期	用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法至用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供一种采用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法。该方法，将电子束曝光版图剖分为二部分，即精细图形和其它的大图形；将剖分后的大小版图图形按不同条件进行转换；用二个不同的路径编辑曝光文件；对剖分后的大小版图图形分别赋予不同的工作参数(EOS)表；对剖分后的大小版图图形分别赋予不同的曝光剂量和曝光电流；将二次曝光的初始位置和剖分后的大小版图图形的版架位置设定为同一值。本发明在使用电子束制备X射线掩模时，在保证电子束的高分辨率时也大大提高了其效率。