专利详情

专利名称	一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置
申请号	CN200610024706.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1818689	公开（授权）日	2006.08.16
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	曹菲;董显林;王根水;李建潼
主分类号	G01R31/00(2006.01)	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)
专利有效期	一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置至一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及装置，属于铁电薄膜材料测试领域。本发明的装置包括样品台(1)、探针台(2)、静电计(3)、屏蔽罩(4)、计算机及自动控制和数据处理软件(5)，本发明的测量方法采用自编软件实现自动控制测量以及数据采集和处理，测得的铁电薄膜材料在不同电压下的漏电流值更接近于样品的真实漏电流值。本发明综合考虑了铁电薄膜材料的自发极化电流、介质极化电流、漏电流以及老化电流对I－V特性测量的影响，设计了一套简便易行的、能够准确测量铁电薄膜材料I－V特性的方法及装置，既可以适用于SrTiO₃等室温为顺电相的薄膜材料，也可以适用于PZT、SBT等室温为铁电相的铁电薄膜材料。