专利详情

专利名称	一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法
申请号	CN200510112299.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1819291	公开（授权）日	2006.08.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	冯飞;熊斌;杨广立;王跃林
主分类号	H01L35/34(2006.01)	IPC主分类号	H01L35/34(2006.01);G01J5/12(2006.01);B81C1/00(2006.01)
专利有效期	一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法至一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO₂、 SiN_x、SiC、Au、Al及Cr等 XeF₂ 气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO₂、 SiN_x、SiC、Au、Al及Cr等 XeF₂气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用 XeF₂气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。