专利详情

专利名称	一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
申请号	CN200610024251.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1815363	公开（授权）日	2006.08.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明
主分类号	G03F7/00(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01);G11C11/00(2006.01);G11C13/00(2006.01)
专利有效期	一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺至一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～ 30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt 或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积 SiO₂，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。