专利详情

专利名称	高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法
申请号	CN200610024146.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1810719	公开（授权）日	2006.08.02
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	曾宇平;丁书强;江东亮
主分类号	C04B35/584(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/584(2006.01);C04B38/00(2006.01);C04B35/622(2006.01)
专利有效期	高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法至高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种以高纯度、低介电常数的二氧化硅结合的 Si₃N₄多孔陶瓷及制备方法，其特征在于石墨为造孔剂、以外加或氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅为结合相的氮化硅多孔陶瓷利用外加和氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅在高温下的烧结把氮化硅颗粒结合起来，利用粉料颗粒堆积成孔或造孔剂氧化烧除成孔，从而得到二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷。 Si₃N₄∶SiO₂∶石墨＝0～100∶ 0～30∶0～25(重量比)，加入酚醛树脂和乙醇，混合后球磨、烘干、研磨、过筛、干压成型，然后在空气中烧成，得到二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷。所得多孔陶瓷的抗弯强度可达 137MPa，总孔隙率10～60％，常温介电常数2～7(1GHz)，可用于常温和高温环境下使用的天线罩、催化剂载体等材料。