专利详情

专利名称	二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法
申请号	CN200510112298.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1807221	公开（授权）日	2006.07.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	冯飞;熊斌;杨广立;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01);H01L21/02(2006.01)
专利有效期	二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法至二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种 XeF₂腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO₂、SiNx、SiC、 Au、Al及Cr等XeF₂气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF₂气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件) 的占空比，改进器件性能。