专利详情

专利名称	一种制备相变存储器纳米加热电极的方法
申请号	CN200510111118.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1808706	公开（授权）日	2006.07.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	H01L21/82(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01);H01L45/00(2006.01)
专利有效期	一种制备相变存储器纳米加热电极的方法至一种制备相变存储器纳米加热电极的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在 SiO₂衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。