专利详情

专利名称	稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
申请号	CN200510119064.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1807428	公开（授权）日	2006.07.26
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	耿延候;田洪坤;史建武
主分类号	C07D409/14(2006.01)	IPC主分类号	C07D409/14(2006.01);C07D417/14(2006.01);C07D333/04(2006.01);C07D495/04(2006.01);C07D513/04(2006.01);H01L51/30(2006.01)
专利有效期	稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途至稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A) 其中为包括以下结构通式的基团：[见式(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)]，其中X＝S，C＝C，Y＝C、N为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等；在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，作为传输层应用于有机薄膜晶体管，制备的器件在空气中稳定。