专利详情

专利名称	一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法
申请号	CN200610008278.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1807678	公开（授权）日	2006.07.26
申请（专利权）人	中国科学院力学研究所	发明（设计）人	樊菁
主分类号	C23C14/24(2006.01)	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01);C23C14/56(2006.01)
专利有效期	一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法至一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法，该方法根据真空室内多个蒸发源同时蒸发时所形成的蒸气粒子的流场分布状况，将基片置于蒸发源上方，切基片平行于蒸发面。在基片所处的流场横断面上，多元蒸气粒子具有与待制备薄膜相同摩尔组分分布比例的分布带，使基片在所述流场横断面中沿所述蒸气粒子分布带运动，以沉积出具有所需摩尔组分分布比例的薄膜，基片的运动速度与所述分布带中粒子的分布密度相协调，所制备薄膜的面积与所述分布带的宽度相对应。本发明方法充分利用了蒸汽粒子在流场中的分布规律，克服了现有技术依靠经验制备多元薄膜所存在的问题，为多组分薄膜在产业上的推广应用创造了条件。