基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置
- 申请号:CN200610023427.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN1804583
- 公开(公开)日:2006.07.19
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置 | ||
申请号 | CN200610023427.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1804583 | 公开(授权)日 | 2006.07.19 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 邵军;陆卫;吕翔;越方禹;李志锋;郭少令;褚君浩 |
主分类号 | G01N21/27(2006.01) | IPC主分类号 | G01N21/27(2006.01);G06F17/14(2006.01);G02F1/00(2006.01) |
专利有效期 | 基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置 至基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装 置,该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦光源 的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控 制板的锁相放大器和低通滤波器,置于样品与激光器之间光路 上的斩波器,从而使连续泵浦激光变为调制激光,并馈入锁相 放大器的输入参考端来控制锁相。该方法使用上述装置进行光 调制反射光谱测量,包括消除泵浦光的漫反射信号以及泵浦光 产生的光致发光信号的干扰;消除傅立叶频率和增强中、远红 外波段微弱光信号的探测能力三个功能。经过对分子束外延生 长GaNxAs1- x/ GaAs单量子阱样品和Ga1- xInxP/AlGaInP多 量子阱材料的光调制反射光谱实际测试。表明:本发明显著提 高探测灵敏度和光谱信噪比,并具有快速、便捷的优点,特别 适用于中、远红外光电材料微弱光特性的检测。 |
交易流程
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专利 -
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