专利详情

专利名称	多源蒸发物理气相沉积系统
申请号	CN200610001881.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1804106	公开（授权）日	2006.07.19
申请（专利权）人	中国科学院力学研究所	发明（设计）人	樊菁;舒勇华;刘宏立
主分类号	C23C14/24(2006.01)	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01);C23C14/56(2006.01);C23C14/54(2006.01)
专利有效期	多源蒸发物理气相沉积系统至多源蒸发物理气相沉积系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了多源蒸发物理气相沉积系统，包括真空子系统、多蒸发源子系统、运动子系统和加热子系统；真空子系统包括真空室和真空获得系统，真空获得系统保证真空室内流场的均匀分布；多蒸发源子系统包括多个蒸发源，根据薄膜组分的数量，相应数量的蒸发源同时同向蒸发形成蒸气粒子流场；运动子系统实现基片在流场内的平面运动，基片表面及其运动平面垂直于蒸发面；加热子系统用于基片的加热保证表面温度分布的均匀性。采用本系统制备薄膜时，基片的运动轨迹和速度都是按照预先设定的方案进行，可获得厚度和摩尔组分比均匀分布的大面积薄膜，而且获得了性能优良的大面积高k钛酸锶薄膜，本系统适于科学研究和多组分高性能功能薄膜的产业化生产。