专利详情

专利名称	菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用
申请号	CN200510119001.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1803792	公开（授权）日	2006.07.19
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	耿延候;田洪坤;史建武
主分类号	C07D333/04(2006.01)	IPC主分类号	C07D333/04(2006.01);C07D495/04(2006.01);C07D519/00(2006.01);C07D513/04(2006.01);H01L51/30(2006.01)
专利有效期	菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用至菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于光电子材料技术领域，涉及菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体管。该菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发明提供的菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性和环境稳定性，可通过真空升华的方法得到高纯度产品，且具有高迁移率的特点，还由于在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，所以作为传输层应用于有机薄膜晶体管中，用其制备的器件在空气中稳定。