专利详情

专利名称	采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法
申请号	CN200510110783.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1801501	公开（授权）日	2006.07.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)
专利有效期	采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法至采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元，利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电流，减小功耗。