专利详情

专利名称	基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺
申请号	CN200410101873.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1801458	公开（授权）日	2006.07.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	谢常青;叶甜春;陈大鹏
主分类号	H01L21/027(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/027(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/3205(2006.01);G03F7/00(2006.01);B82B3/00(2006.01)
专利有效期	基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺至基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工艺步骤如下：1.在自支撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束曝光、显影；3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩X射线光刻胶；5. 从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续将片子放在电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻，一次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。