专利详情

专利名称	一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法
申请号	CN201210107975.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102629073A	公开（授权）日	2012.08.08
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;赵泽宇;冯沁;刘凯鹏;王长涛;高平;杨磊磊;刘玲
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法至一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法，其步骤为：在基底上制备光栅阵列结构；在光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层；使用RIE进行各向同性刻蚀，或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀，控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值；在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层。本发明得到的线条数量为原有光栅的四倍，光栅周期缩小为原有光栅周期的四分之一。