基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路
- 申请号：CN200410098990.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN1797944
- 公开(公开)日：2006.07.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路 | ||
| 申请号 | CN200410098990.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1797944 | 公开（授权）日 | 2006.07.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;魏金宝 |
| 主分类号 | H03F3/45(2006.01) | IPC主分类号 | H03F3/45(2006.01) |
| 专利有效期 | 基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路 至基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及差分放大器技术领域，特别是一种基 于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路。双模式的集 成ISFET信号放大器包括：Ma1和Mb1组成的差分放大器， Ma2、Mb2和Mc组成自举电路，M9，M8，M7，M2，M1电 流镜像电路，电流源I1a和I1b，I0。ISFET电流型信号差分电 路包括：ISFET放大器和REFET放大器，准参比电极PRE， M1和M3构成二个跟随放大器。本发明适合处理高精度、具 有较大动态范围的ISFET传感器输入信号。 | ||
交易流程
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专利 -
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