专利详情

专利名称	电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
申请号	CN201120527128.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202384293U	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	窦伟;李楠;李超波;夏洋
主分类号	H01J37/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/32(2006.01)I
专利有效期	电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置至电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置	法律状态	授权
说明书摘要	公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括两组折回而成的射频线圈；两组所述射频线圈的空间结构采用平面蛇形并联的方式，且在空间分布上严格对称。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等离子体注入装置。本实用新型提供的电感耦合等离子体线圈及其注入装置，一方面能够减少线圈中的驻波效应，增加等离子体的均匀性。另一方面能够很好地实现阻抗匹配，增加等离子体的耦合效率，降低由于过高的电压导致石英窗溅射从而造成晶片污染的可能性，还能够在大面积反应腔室中产生大面积，均匀的高密度等离子体，以满足微电子领域的实验室以及工业上的需求。