专利详情

专利名称	改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
申请号	CN200410101891.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1797787	公开（授权）日	2006.07.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L29/812(2006.01)	IPC主分类号	H01L29/812(2006.01);H01L21/338(2006.01)
专利有效期	改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构至改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。